IRFZ44N
Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
l Ultra Low On-Resistance
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
- کدکالا:
ناموجود
Description
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
دریافت دیتاشیت محصول: Datasheet
| نوع |
ارسال نظر
- - نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.
- - لطفا دیدگاهتان تا حد امکان مربوط به مطلب باشد.
- - لطفا فارسی بنویسید.
- - میخواهید عکس خودتان کنار نظرتان باشد؟ به gravatar.com بروید و عکستان را اضافه کنید.
- - نظرات شما بعد از تایید مدیریت منتشر خواهد شد
محصولات مرتبط
